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化合物方向

MEMS与生物Sensor

环保节能

材料学

核心零部件方案

产业运营

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【转载】镀膜与干刻中的平均自由程是什么？

2023-07-29

在芯片制造中，镀膜和干刻是其中的重要环节，通常要用到CVD，RIE等技术，对材料表面进行纳米级的精细操作。在这些工序中，原子，分子，离子等，会在气体或真空中进行自由运动，直到与其他粒子发生碰撞。这其中，平均自由程成为描述粒子运动和控制这些过程关键参数。今天，我们将深入探讨在芯片制造过程中，特别是在镀膜和干刻过程中，平均自由程的概念，计算以及影响。什么是平均自由程？平均自由程（Mean Fre...

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【转载】用于化合物半导体应用的SOI

2023-04-14

硅对绝缘体(SOI)是在硅晶体管工业中发展起来的，以降低集成电路中的寄生电容。随着技术的发展，更多的应用和器件结构受益于这些衬底被证明，如微机电系统(MEMS)和光子学。在过去的一年里，报告了SOI与III-V化合物半导体的结合。一个吸引人的特点是，SOI和硅具有比复合半导体的标准材料更大直径、成本更低的衬底。此外，将SOI与III-V半导体结合，可以为传统的硅互补体增加新的功能。氮化镓也用...

Plasma damage减弱在GaN工艺中的必要性

2021-11-13

在GaN的相关刻蚀工艺中，O2或者其他的Plasma造成的damage对器件的性能和稳定性造成较大影响，减弱plasma damage以及O2带来的负面影响及其重要，多种研究尝试可以通过工艺调整，设备重制等方向实现尽量小的影响...

临时键合、解键合设备在化合物工艺中的应用

2021-10-09

随着新产品应用的产生，工艺流程的优化需求，临时键合、解键合设备在化合物工艺中的应用越来越广泛，本文研究了临时键合、解键合，键合胶，解键合方案，以及搭配的涂胶和解键合后的清洗整合等方案

激光退火工艺在SiC工艺中应用研究

2021-05-20

随着SiC芯片加工产业的飞速发展，研究人员对工艺流程的研究愈发深入，激光退火工艺在SiC工艺中扮演越来越重要的身份

深槽刻蚀工艺气体、功率、实现方法在SiC MOSFET工艺中的尝试

2021-04-30

深槽刻蚀工艺气体、功率、实现方法在SiC MOSFET工艺中的尝试

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MVD设备在MEMS行业应用与实现方案

2021-11-13

MEMS细分分支越来越多，对器件性能设计中要求越来越多。疏水层的需求应运而生，业内部分产品可以使用MVD设备来实现疏水层成长；

VHF新技术对加速度计开发与量产贡献

2021-06-18

VHF新技术，摆脱产能、均匀度、良率的短板影响，同时兼具兼容性问题，开始在MEMS行业加速度计产品开发与量产中逐步认可...

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国产Plasma电极头性能提升与替代国外可行性

2021-01-01

国产Plasma电极头性能提升与替代国外可行性

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【转载】封装前沿报道 | 玻璃基三维集成技术领域系列研究新进展

2024-04-12

“封装前沿报道”栏目旨在介绍科研人员在电子封装领域发表的最新研究成果，介绍研究或实验方法、说明其亮点与新颖性、阐述团队在封测领域的研究进展，通过《电子与封装》正刊、官网、微信公众号平台对研究成果及研究机构和课题组的研究方向、最新动态进行报道，促进封装领域最新前沿技术进展和相关信息的交流与传播。三维集成是后摩尔时代集成电路发展的主要技术途径。玻璃通孔（TGV）技术与传统的三维封装技术相比，有着...

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【转载】半导体IGBT功率器件封装结构热设计探讨

2023-04-28

IGBT 绝缘栅双极型晶体管一简介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconducto...

MBE材料生长在芯片成膜以及石墨烯材料中的应用

2021-09-07

MBE(分子束外延)，主要用于膜质纯度较高的工艺条件的成长，在越来越多的新技术，新行业，新材料研发和需求中，逐步开始较多应用

新款耐高温，耐plasma的全F密封圈保障多种恶劣环境应用

2020-12-30

新款耐高温，耐plasma的全F密封圈，保障刻蚀、炉管等多种高温、plamsa，机械摩擦共同存在的恶劣环境应用

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【转载】十种半导体技术将改变电子制造

2024-04-26

在当今快节奏的数字时代，半导体技术是创新的支柱，推动着电子制造的发展。从对更小、更强大的处理器的不懈追求，到连接和计算范式的突破性进步，半导体行业不断突破可能的界限。以下是正在彻底改变电子制造的半导体技术。3nm工艺量产向 3nm 工艺技术的过渡标志着半导体制造的一个重要里程碑。当晶体管尺寸缩小至3纳米时，可以实现在同一芯片面积上集成更多的晶体管，从而提高晶体管的密度。这种密度的提升意味着芯...

【转载】物理和化学气相沉积(PVD&CVD)工艺技术详解（上）

2023-04-07

【转载】MEMS-IMU的入门与应用

2023-03-31

【转载】切割芯片的奥秘：划片工艺流程全解析

2023-03-24

晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程...

【转载】用于电力电子应用的嵌入式芯片封装和模块

2023-03-16

【转载】MOSFET低端驱动应用技术详解

2023-03-04

【转载】GaN MISFET 沟槽边缘校准

2023-01-11

真空焊接技术在高温器件连接中的应用

2021-11-14

半导体晶圆加工工艺中，需要经常面临各种温度变化，相对高温低温宽范围变化是常态化，于是各种机械组件的真空焊接技术需求能容载温度变化，很多新的焊接工艺得到较大应用...

Plasma Distribution Monitor工具在腔体模拟中的实际应用

2021-11-13

在半导体等离子设备开发过程中，Plasma起辉后的分布直接或者重要影响到了腔体内产品的性能和反应度，精细的实时监测对工艺监控非常重要，已经可以替代行业内常用的外置EOP和VI prober的功能，或者可以相互辅助形成完美的监控体系...