碳化硅 (SiC) 作为一种半导体材料，在多种应用中优于纯硅基半导体。SiC 器件主要用于功率逆变器、电机驱动器和电池充电器，具有高功率密度和高频功率损耗降低等优点，即使在高压下也是如此。尽管这些特性及其相对较低的成本使 SiC 在半导体市场的各个领域成为有前途的竞争者，但其长期可靠性较差一直是过去二十年以来难以逾越的障碍。4H-SiC（一种具有优异物理性能的SiC）最紧迫的问题之一是双极退...
【引言】层状过渡金属氧化物是锂/钠/钾离子电池最重要的正极材料之一，其在大规模合成，理论比容量，以及电化学性能方面具有较大的优势。然而，充放电过程中正极通常伴随着不良相变和深度循环后的容量衰减，原因在于过渡金属（Tm）离子的迁移导致层向尖晶石转变，Tm/O离子氧化还原反应过程中Tm-O键的各向异性变化，以及O-O、Na(Li，K)-O和Tm-O之间静电相互作用的演化。抑制充放电过程中的不良相...
在我们关于早期 5G 智能手机硬件设计的后续系列中，我们现在将注意力转向核心电子设备的 5G 射频前端 (RFFE) 部分。迄今为止，在 IHS Markit 采样的 6 家拥有 5G 智能手机的 OEM 中，其中 5 家在 RFFE 部分具有共同的设计主题；高通提供的完整5G RFFE解决方案。对 Qualcomm 的这种信任投票不仅表明他们作为调制解调器主要供应商的关键作用，而且表明他们...
Carbon膜灰化在SiC关键工艺中通过不同方法，不同工艺实现并在紧邻的工艺中取得的效果加以确认，并在最终产品性能检测中确认
